| K4B2G1646E-BCH9 | |
|---|---|
| Số Phần | K4B2G1646E-BCH9 |
| nhà chế tạo | SAMSUNG |
| Sự miêu tả | K4B2G1646E-BCH9 SAMSUNG |
| Số lượng hiện có sẵn | 1990 pcs new original in stock. Yêu cầu Chứng khoán và Báo giá |
| Bảng dữ liệu | |
| K4B2G1646E-BCH9 Price |
Yêu cầu Giá cả và thời gian chính trực tuyến or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Thông tin kỹ thuật của K4B2G1646E-BCH9 | |||
|---|---|---|---|
| Số phần của nhà sản xuất | K4B2G1646E-BCH9 | Thể loại | Mạch tích hợp (ICs) |
| nhà chế tạo | Samsung Electro-Mechanics | Sự miêu tả | K4B2G1646E-BCH9 SAMSUNG |
| Gói / Trường hợp | 1173 | Số lượng hiện có sẵn | 1990 pcs |
| Bưu kiện | BGA | Condtion | New Original Stock |
| Sự bảo đảm | 100% Perfect Functions | Thời gian dẫn | 2-3days after payment. |
| Thanh toán | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer | Giao hàng bằng | DHL / Fedex / UPS |
| Hải cảng | HongKong | Email RFQ | Info@ariat-tech.com |
| Tải về | K4B2G1646E-BCH9 PDF - EN.pdf | ||
K4B2G1646E-BCH9
Mạch tích hợp (IC) chuyên dụng được sử dụng chủ yếu trong các ứng dụng bộ nhớ, được phát triển bởi Samsung Semiconductor.
Samsung Semiconductor
Module bộ nhớ dung lượng cao
Tiêu thụ điện năng thấp
Xử lý dữ liệu tốc độ cao
Được thiết kế cho các ứng dụng tính toán hiệu suất cao
Tối ưu hóa cho độ tin cậy và độ bền trong các hệ thống có nhu cầu cao
Hỗ trợ tốc độ truy cập và truyền dữ liệu nhanh
Được thiết kế để duy trì sự ổn định dưới các điều kiện hoạt động khác nhau
Loại bộ nhớ: DDR3
Loại gói: BGA
Tốc độ: PC3-12800
Điện áp: 1.5V
Được đóng gói trong dạng BGA để tối ưu hóa sử dụng không gian và tản nhiệt
Thiết kế nhỏ gọn phù hợp với bố cục bảng mạch dày đặc
Được xây dựng theo tiêu chuẩn kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt
Độ tin cậy cao trong hoạt động liên tục
Chịu được các áp lực môi trường và điều kiện nhiệt độ thông thường
Các tính năng tăng cường độ chính xác dữ liệu
Cải thiện hiệu quả năng lượng so với các mẫu trước
Hiệu suất mạnh mẽ trong môi trường đa tác vụ
Có khả năng cạnh tranh cao trong thị trường module bộ nhớ
Là sự lựa chọn ưu tiên cho các nhà sản xuất thiết bị gốc (OEM) và các nhà tích hợp hệ thống nhờ vào hiệu suất và độ tin cậy
Tương thích với các khe cắm bộ nhớ DDR3 tiêu chuẩn
Đáp ứng các tiêu chuẩn ngành về giao tiếp và thông số điện
Đáp ứng các tiêu chuẩn quốc tế về linh kiện điện tử
Tuân thủ các chỉ thị môi trường RoHS và WEEE
Được thiết kế cho tuổi thọ hoạt động dài trong điều kiện sử dụng điển hình
Được sản xuất bằng vật liệu và quy trình thân thiện với môi trường
Được sử dụng trong hệ thống máy tính, máy chủ và thiết bị tính toán hiệu suất cao
Áp dụng trong công nghệ viễn thông và phần cứng mạng tiên tiến
| Cổ phiếu K4B2G1646E-BCH9 | Giá K4B2G1646E-BCH9 | Điện tử K4B2G1646E-BCH9 | |||
| Linh kiện K4B2G1646E-BCH9 | Hàng tồn kho K4B2G1646E-BCH9 | Digikey K4B2G1646E-BCH9 | |||
| Nhà cung cấp K4B2G1646E-BCH9 | Đặt hàng trực tuyến K4B2G1646E-BCH9 | Yêu cầu K4B2G1646E-BCH9 | |||
| Hình ảnh K4B2G1646E-BCH9 | Hình ảnh K4B2G1646E-BCH9 | PDF AAA | |||
| Bảng dữ liệu K4B2G1646E-BCH9 | Tải xuống bảng dữ liệu K4B2G1646E-BCH9 | Nhà sản xuất Samsung Electro-Mechanics | |||
| Các bộ phận liên quan cho K4B2G1646E-BCH9 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Hình ảnh | Số Phần | Sự miêu tả | nhà chế tạo | Nhận báo giá | |
![]() |
K4B2G1646C-HCKO | K4B2G1646C-HCKO SAMSUNG | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646E-BCNB | K4B2G1646E-BCNB SAMSUNG | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646E-BYK0 | SAMSUNG BGA96 | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646C-HCMA | K4B2G1646C-HCMA SAMSUNG | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646E-BIKO | SAMSUNG | |||
![]() |
K4B2G1646C-HCKO000 | K4B2G1646C-HCKO000 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646E | K4B2G1646E SAMSUNG | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646E-BQK0 IC | SAMSUNG BGA | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646E-BQK0 | K4B2G1646E-BQK0 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646E-BIH9 | SAMSUNG | |||
![]() |
K4B2G1646E-BCK0 IC | SAMSUNG FBGA-96 | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646C-HCH9000) | SAMSUNG 2011+RoHS | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646C-HCNB | SAMSUNG | |||
![]() |
K4B2G1646E-BCMA | K4B2G1646E-BCMA SAMSUNG | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646C-HIH9 | K4B2G1646C-HIH9 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646E-BCK0 | K4B2G1646E-BCK0 SAMSUNG | SAMSUNG SEMICONDUCTORS | ||
![]() |
K4B2G1646C-HQH9 | K4B2G1646C-HQH9 Samsung | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646C-HCK0 | K4B2G1646C-HCK0 SAMSUNG | SAMSUNG SEMICONDUCTORS | ||
![]() |
K4B2G1646C-HPH9 | SAMSUNG BGA | SAMSUNG | ||
![]() |
K4B2G1646E-BCKO | K4B2G1646E-BCKO SAMSUNG | SAMSUNG | ||
Tin tức
Hơn
Vào ngày 19 tháng 4 năm 2026 (giờ địa phương), các phương tiện truyền thông trích dẫn các nguồn quen thuộc với vấn đề này ti...

Theo *The Business Times*, dây chuyền sản xuất thí điểm CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) của TSMC đã bắt đầu giao thiết bị cho nhóm ...

Vào ngày 6 tháng 4 theo giờ địa phương, gã khổng lồ công nghệ trí tuệ nhân tạo (AI) của Hoa Kỳ, Anthropic, thông báo rằng họ đ...

Ngày 1/4, Microsoft công bố sẽ đầu tư 5,5 tỷ USD vào Singapore để tiếp tục mở rộng cơ sở hạ tầng đám mây và trí tuệ nhân tạ...

Samsung Electronics sẽ là công ty đầu tiên cung cấp độc quyền HBM4 thế hệ tiếp theo cho OpenAI, công ty trí tuệ nhân tạo (AI) lớn n...
Sản phẩm mới
Hơn
Bộ điều khiển tăng đồng bộ TEXAS TPS92542-Q1 chứa bộ điều khiển tăng đồng bộ và trình điều khiển LED Buck đồng bộ nguyên kh...

Toshiba TB67H453 Trình điều khiển H-Bridge đơn có chức năng giám sát hiện tại với phản hồi điện áp từ chân đầu ra Isense.Xếp h...

STMicroelectronics STSAFE-A120 Xác thực IC là các mạch tích hợp an toàn cao được thiết kế để bảo vệ dữ liệu và thiết bị nhạy c...

STMICROELECTRONICS STSAFE-A Xác thực được tối ưu hóa Tận dụng thuật toán mật mã tiên tiến và các kỹ thuật quản lý chính để b...

Diodes kết hợp PI3DPX1235Q 6: 4 CROSSBAR REALEAR REALEAR Hỗ trợ trong suốt đào tạo liên kết DP cho các ứng dụng phía nguồn.PI3DPX1235Q ...
E-mail: Info@ariat-tech.comĐiện thoại HK: 852-30501966THÊM VÀO: Rm 2703 27F Trung tâm cộng đồng Hồ Vua 2-16,
Fa Yuen St MongKok Cửu Long, Hồng Kông.